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キオクシアがPCIe4.0ストレージクラスメモリSSDを発表

Posted by: Fymicohuang 2021-09-16 キオクシアがPCIe4.0ストレージクラスメモリSSDを発表 はコメントを受け付けていません

キオクシアがPCIe4.0ストレージクラスメモリSSDを発表

キオクシアがPCIe4.0ストレージクラスメモリSSDを発表

KIOXIA Americaは、FL6シリーズエンタープライズNVMe SCM SSDをサンプリングしていることを発表しました。これは、低遅延と高耐久性の両方を提供します。

KIOXIA SCMソリューション、XL-FLASH、デュアルポートおよびPCIe4.0準拠のKIOXIAFL6シリーズSSDを搭載し、DRAMとTLCベースのドライブ間のギャップを埋め、キャッシングなどの遅延の影響を受けやすいユースケースに対処するように設計されています。レイヤー、階層化、書き込みロギング。

XL-FLASH SCMは、3ビット/セルのSLCを備えたKIOXIAのBiCS FLASH 1Dフラッシュメモリテクノロジーに基づいて、データセンターとエンタープライズストレージに低遅延と高性能を提供します。 DRAMなどの揮発性メモリソリューションは、要求の厳しいアプリケーションに必要なアクセス速度を提供できますが、コストが高くなります。 SCMは、高密度で低コストの不揮発性フラッシュメモリを提供することでこれに対処します。

IDCのリサーチバイスプレジデントであるJeffJanukowiczは、次のように述べています。 「KIOXIAFL6シリーズなどのNVMeSCM SSDソリューションは、支出が現在と比較して2025年までにXNUMX倍に増加すると予想されるこの急成長市場のニーズを満たすのに役立ちます。」

FL6シリーズは、キューの深さが浅いワークロードで良好に機能することがわかっていますが、ワークロードの要求が厳しくなり、混合されるにつれて、その主な長所が明らかになります。 これらの環境では、FL6ドライブは、信頼性の高いサービス品質を提供できます。これは、遅延の影響を受けやすいさまざまなアプリケーションにとって重要な属性です。

「SCMはエンタープライズストレージの次のフロンティアであり、当社のFL6シリーズSSDは、DRAMと従来のTLCベースのフラッシュSSDの間のギャップをコスト効率よく埋めるように設計されています」とKIOXIAAmericaのSSDマーケティングおよび製品管理担当副社長であるNevilleIchhaporiaは述べています。 。